28나노 반도체 칩 생산용 고순도 Ti-Al Target
순도≥4N5 (99.995%), 28나노 반도체 칩 생산용 고순도 Ti-Al 타겟 제품.
성분
-. 원자 백분율: Ti : Al = 50at% : 50at% (Tolerance ±1at%).
-. 질량 백분율: Ti : Al = 64wt% : 36wt% (Tolerance ±0.8wt%).
순도
-. ≥4N5 (≥99.995%).
-. 검사 방법: GDMS (Glow Discharge Mass Spectrometry).
기타SPEC
-. 사이즈: Φ454mm × 11.3Hmm (Tolerance: ＋0.5mm).
-. 표면: CNC 가공 표면, 변형 없음, 오염 없음, 스크래치 없음.
-. 내부 품질: 재 결정도≥90%, 평균 정립도≤80μm, 정립도 균일함, Layer 없음, 기공 없음, 개재물 없음 (No Inclusion), 전도율＞3MS/M.
특성/장점
-. Target을 사용 시 Al 원소가 감쇄되지 않음 (Al 원소가 49.7at% 이하 될 경우 Target이 사용 불가).
-. 단조 공정으로 생산이 되며 기공률은 (Porosity)0%임, 일본 제품은 분말 야금 공정으로 생산이 되며 기공률은 (Porosity) 1%임.
-. 산소 함량: ≤200ppm.
성형이 힘든 γ-TiAl의 열가공 단조 기술을 돌파
-. (a) Orthogonal Cube γ (TiAl) 상.
-. (b) Close-Packed Hexagonal α2 (Ti3Al) 상.
